دانلود ترجمه مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

دانلود ترجمه  مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

 

مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

عنوان انگلیسی مقاله:

Simulation study of semi-superjunction power MOSFET with SiGe pillar

عنوان فارسی مقاله:

مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

_______________________________________

چکیده

امکان بکار بردن نیمه-سوپراتصال (Semi-Sj) با مفهوم ستون-SiGe(SGP) بر رویMOSFET قدرت در این مقاله بررسی می­شود. عملکردهای الکتریکیSGP با MOSFET قدرت با MOSFET قدرت قدیمی از طریق شبیه­سازی دستگاه 3Dبر حسب مقاومت ویژه­ی روشن بودن ، ولتاژ شکست ، تاثیر تغییر کسر مولی Ge در SGP و پایداری حرارتی با مقایسه می­شود. نتایج نشان می­دهند که  به اندازه­ی %44 بر پایه­ی کاهش BVها تنها به اندازه­ی %4.8 کاهش می­یابد، مصالحه­ی در مقابل BV و پایداری حرارتی SGPنسبت به Semi-Sjبهتر است زیرا اثر کششیبر روی ساختار SGP در کاربرد دستگاه کم قدرت القا می­شود.

جهت دانلود و توضیحات بیشتر اینجا کلیک نمایید

 


جهت دانلود ترجمه و دانلود رایگان مقالات انگلیسی کلیک نمایید

 

 

  1. هیچ نظری تا کنون برای این مطلب ارسال نشده است، اولین نفر باشید...

    نوشتن دیدگاه

بالا شمارنده 20file.vcp.ir Real PR >