عنوان انگلیسی مقاله:
Simulation study of semi-superjunction power MOSFET with SiGe pillar
عنوان فارسی مقاله:
مطالعه ی شبیه سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe
_______________________________________
چکیده
امکان بکار بردن نیمه-سوپراتصال (Semi-Sj) با مفهوم ستون-SiGe(SGP) بر رویMOSFET قدرت در این مقاله بررسی میشود. عملکردهای الکتریکیSGP با MOSFET قدرت با MOSFET قدرت قدیمی از طریق شبیهسازی دستگاه 3Dبر حسب مقاومت ویژهی روشن بودن ، ولتاژ شکست ، تاثیر تغییر کسر مولی Ge در SGP و پایداری حرارتی با مقایسه میشود. نتایج نشان میدهند که به اندازهی %44 بر پایهی کاهش BVها تنها به اندازهی %4.8 کاهش مییابد، مصالحهی در مقابل BV و پایداری حرارتی SGPنسبت به Semi-Sjبهتر است زیرا اثر کششیبر روی ساختار SGP در کاربرد دستگاه کم قدرت القا میشود.
جهت دانلود و توضیحات بیشتر اینجا کلیک نمایید
نوشتن دیدگاه